Innovativi materiali antiferromagnetici per la realizzazione di dispositivi di memoria ultraveloci

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sx giovanni finocchio, professor albert fert, premio nobel per la fisica, mario carpentieri del poliba

Alla ricerca, coordinata dal premio Nobel per la Fisica 2007 prof. Albert Fert, ha partecipato anche il prof. Mario Carpentieri del Politecnico di Bari

BARI – Il settore delle nanotecnologie, dell’ingegneria dell’informazione con ricadute nella medicina, potrebbero trovare nuovi sviluppi applicativi. Le indicazioni sono state scritte a più mani in un articolo pubblicato il 27 luglio scorso sulla autorevole rivista, “Nature Communications”.

La ricerca, dal titolo, “Field-free spin-orbit torque-induced switching of perpendicular magnetization in a ferrimagnetic layer with a vertical composition gradient” https://www.nature.com/articles/s41467-021-24854-7 è stata pubblicata da un team internazionale di ricerca che vede come coautore e supervisore il premio Nobel per la Fisica 2007 prof. Albert Fert. Nel team di ricerca figura anche il prof. Mario Carpentieri, del Politecnico di Bari.

La ricerca si rivolge al settore delle nanotecnologie e dell’ingegneria dell’informazione. In particolare, ha riguardato lo studio teorico e la dimostrazione sperimentale del possibile utilizzo di innovativi materiali antiferromagnetici (AFM) per la realizzazione di dispositivi di memoria ultraveloci, ad alta densità di storage e ad alta efficienza energetica, che li rendono candidati eccellenti come memorie magnetiche ad accesso casuale su scala nanometrica. Attraverso tale studio è stato dimostrato che questi tipi di materiali permettono il funzionamento di tali dispositivi di memoria senza dover avere la necessità di applicare campi magnetici esterni, caratteristica che rende tali nuovi dispositivi spintronici facilmente integrabili nell’elettronica convenzionale. Tali dispositivi sono anche importanti per applicazioni emergenti nell’intelligenza artificiale e nel calcolo non convenzionale. Previste ricadute nel campo biomedicale in quanto i materiali sviluppati per la memoria possono essere anche utilizzati per lo sviluppo di sensori biomedici.

Il prof. Mario Carpentieri, ordinario di Elettrotecnica, afferisce al Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell’Informazione del Poliba. Il suo contributo alla ricerca, pubblicata su “Nature Communications” si è sviluppato presso il laboratorio di Spintronica del Politecnico di Bari dove ha sede un server di calcolo parallelo per la progettazione e la caratterizzazione di materiali e dispositivi nanometrici.